ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd แผนผังเว็บไซต์

อินเวอร์เตอร์ IGBT

• อัลตร้าสวิตชิ่งอินเวอร์เตอร์ IGBT พลังงานครึ่งประสาทสําหรับความจุสูง
• TO-247 อินเวอร์เตอร์ 600V IGBT สําหรับระบบพลังงานที่เกิดใหม่
• อินเวอร์เตอร์เวลาฟื้นฟูต่ํา IGBT 20KHz-60KHz ด้วยความอดทนทางความร้อน 600V
• โหมดการขยายช่อง N ไฟฟ้า IGBT 15A 650V สําหรับ Inverter ทั่วไป

IGBT พลังงานสูง

• เครื่องแปลงพลังงาน IGBT 650V-1200V ประหยัดพลังงานสําหรับสวิตช์สวิตช์
• N ช่อง 15A 650V ความแรงสูง IGBT TO-220F สําหรับอุปกรณ์บ้าน
• 600V-1200V พลังงาน IGBT ผลงานความแข็งแรงสูง สําหรับการใช้งาน PFC
• 30A 650V N ช่อง IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องปั่นไฟฟ้า

มอสเฟตกำลังสูง

• N type High Power MOSFET Power Management Solution สําหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
• 5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 ติดผิว
• การระบายความร้อน ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิคอน MOSFET พลังงานสูง
• 7A 650V 525mΩ TO-220F MOS เย็นสําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

• 7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel To-220F สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
• ความสูญเสียการนําไฟที่ต่ํา เวลาฟื้นฟูที่รวดเร็ว Cool Mosfet 30A 650V 99mΩ
• 7A 650V 520mΩ TO-252 Super Junction Mosfet Switching Regulator เครื่องควบคุมการสลับ
• การสูญเสียการขับเคลื่อนที่ต่ํา Cool Mosfet 30A 650V 120mΩ สําหรับปัสดุพลังงานสวิตช์โหมด

มอสเฟตแรงดันต่ำ

• N Channel Middle Low Voltage MOSFET ทนทานเพื่อป้องกันแบตเตอรี่
• ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพลังงานต่ําซิลิคอนหลายฉาก สําหรับสถานีฐาน 5G
• ซิลิคอนกลางและความดันต่ํา MOSFET สําหรับสวิทช์ความถี่สูง
• โมสเฟตความดันกลางและความดันต่ําหลายฉาก สําหรับอุปกรณ์ปรับและชาร์จ

มอสเฟตแรงดันสูง

• อินเวอร์เตอร์ มอสเฟตความดันสูง
• ความต้านทาน ON ต่ํา โวลเตจสูง N Channel MOSFET 30V ด้วยการทดสอบหินตก 100%
• ความต้านทานภายในต่ํามาก MOSFET ความดันสูง TO-220F สําหรับการชาร์จค้อน
• สายวงจรสับสนุนความต้านทานต่ํา HV Mosfet สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

• ความดันต่ําต่อหน้า Schottky Barrier Diodes เครือข่ายการสื่อสารไฟฟ้า
• โซลูชั่น VF ต่ํา Schottky Diodes TO-247 สําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์
• ไดโอเดสป้องกัน Schottky VF ต่ํา TO-251 TO-252 การปรับปรุงไฟฟ้า
• เครื่องสลับความถี่ Schottky Diodes TO-252 TO-220 สําหรับโมเดมพลังงาน

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

• อัลตราสะดวก 35ns เวลาฟื้นฟู ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับอุปกรณ์ครัวเรือนเล็ก
• TO-220AC Ultrafast Diodes เวลาการฟื้นฟู 15-35ns สําหรับการใช้งานอุปกรณ์พลังงาน
• ไดโอ้ดการฟื้นฟูเร็วความสามารถกระแสกระแสไฟฟ้าสูง สําหรับเครื่องแปลงและเครื่องแปลง
• ไดโอเดสการแก้ไขการฟื้นฟูเร็ว VF ต่ํา 15-35ns สําหรับการใช้งานเปลี่ยน

VF ต่ํา Schottky

• ธาตุสําคัญ ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา TO-252 สําหรับการสื่อสารไร้สาย
• ความน่าเชื่อถือ ความดันต่ําไปข้างหน้า Schottky Diode TO-247 สําหรับคนขับมอเตอร์ stepper
• ความสามารถการกระตุ้นสูง ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา สําหรับการสลับวงจร
• ระยะอุณหภูมิขยาย Schottky Low VF Diode สําหรับขีดความร้อน

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

• 11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET พลังงานสูง สําหรับการสลับชาร์จ
• สายประจุไฟฟ้าแรงสูงชนิด N สายประจุไฟฟ้าแรงสูงที่มีการรั่วไหลน้อย
• TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ
• การสลับต่ํา แรงสูงครึ่งประสาท 15A 650V 238mΩ สําหรับเครื่องแปลง DC-DC

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

• MOSFET คาร์ไบดซิลิคอนที่มีความต้านทานต่ําสําหรับเครื่องเปลี่ยนพลังงาน
• อุณหภูมิสูง Sic Power Mosfet TO-220AC สําหรับหน่วยไฟฟ้า
• MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ความต้านทานต่ํา TO-247AC สําหรับโทรคมนาคม
• ความต้านทานต่ํา Sic MOS TO-220AC สําหรับอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

• ความน่าเชื่อถือสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับผู้ขับรถอุตสาหกรรม
• พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า
• อิเล็กทรอนิกส์ ซิลิคอน คาร์บائد SBD อุปกรณ์แยกพลังงานสําหรับวงจรไฟฟ้า
• ซิลิคอนคาร์ไบด์ SIC Schottky Barrier Diodes TO-247AC สําหรับเครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์