บ้าน ผลิตภัณฑ์high power igbt ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

high power igbt ผลิตออนไลน์

(574)

ความเร็วการสลับที่รวดเร็ว ไดโอเดสป้องกัน Schottky TO-247 สําหรับปัสดุพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:38

ไดโอเดสป้องกัน Schottky หลายฟังก์ชัน TO-251 สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:37

ความเร็วการสลับเร็ว Schottky Diode Vf สําหรับประปาพลังงานและพลังงานแสงอาทิตย์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:22

หน่วยไฟฟ้า ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา ลดการสูญเสียพลังงานระหว่างการแก้ไข
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:19

N Channel High Voltage Semiconductor With Low Leakage Junction Capacity (ช่อง N โซลาร์เซมินทรีย์ความดันสูงที่มีความจุในการแยกที่รั่วไหลต่ํา)
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:33

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:17

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:27

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:25

ความดันสูง ความอดทนพลังงานครึ่งตัวนํา TO-220F สําหรับเครื่องแปลงพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:25

Page 14 of 58|< << 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

high power igbt ผลิตออนไลน์

ความเร็วการสลับที่รวดเร็ว ไดโอเดสป้องกัน Schottky TO-247 สําหรับปัสดุพลังงาน
ติดต่อ

ไดโอเดสป้องกัน Schottky หลายฟังก์ชัน TO-251 สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
ติดต่อ

ความเร็วการสลับเร็ว Schottky Diode Vf สําหรับประปาพลังงานและพลังงานแสงอาทิตย์
ติดต่อ

หน่วยไฟฟ้า ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา ลดการสูญเสียพลังงานระหว่างการแก้ไข
ติดต่อ

N Channel High Voltage Semiconductor With Low Leakage Junction Capacity (ช่อง N โซลาร์เซมินทรีย์ความดันสูงที่มีความจุในการแยกที่รั่วไหลต่ํา)
ติดต่อ

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

ความดันสูง ความอดทนพลังงานครึ่งตัวนํา TO-220F สําหรับเครื่องแปลงพลังงาน
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC