บ้าน ผลิตภัณฑ์high power igbt ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

high power igbt ผลิตออนไลน์

(574)

30A 100V Schottky Barrier Diodes ความเร็วในการเปลี่ยนที่รวดเร็วและเวลาการฟื้นฟูกลับที่ต่ํา MBR30100FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:25

30A 60V Schottky Barrier Diodes Circuits rectifier สําหรับการแปลง AC เป็น DC MBR3060FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:25

30A 200V ถึง 220F โดดป้องกัน Schottky ด้วยความดันด้านหน้าต่ํา MBR30200FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:24

40A 100V ราคาถูก การป้องกันความเร็วการสลับอย่างรวดเร็วสําหรับการป้องกันความแรงดันเกิน MBR40100FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:24

40A 100V โชตตกี้ ไดโอเดสป้องกัน MBR40100PTS
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:32

30A45V TO-247S Package Schottky Barrier Diodes สําหรับอุตสาหกรรม MBR3045PTS
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:31

MBR60200PT ไดโอ้ดความเร็วการสลับเร็ว Vf ต่ํา สําหรับการใช้งานความเร็ว
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 11:00:41

TO-247 60A 45V MBR6045PT ซุปเปอร์แบรเยอร์ไดโอเด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:31

30A 200V MBR30200PT โฟลเตจด้านหน้า โลวเตจ VF Schottky Barrier Diodes สําหรับประสิทธิภาพการส่องแสง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:30

HBT20L200FCT การสลับความดันต่ํา 20A200V Schottky ใน TO-220F Package
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:17

Page 57 of 58|< << 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

high power igbt ผลิตออนไลน์

30A 100V Schottky Barrier Diodes ความเร็วในการเปลี่ยนที่รวดเร็วและเวลาการฟื้นฟูกลับที่ต่ํา MBR30100FCT
ติดต่อ

30A 60V Schottky Barrier Diodes Circuits rectifier สําหรับการแปลง AC เป็น DC MBR3060FCT
ติดต่อ

30A 200V ถึง 220F โดดป้องกัน Schottky ด้วยความดันด้านหน้าต่ํา MBR30200FCT
ติดต่อ

40A 100V ราคาถูก การป้องกันความเร็วการสลับอย่างรวดเร็วสําหรับการป้องกันความแรงดันเกิน MBR40100FCT
ติดต่อ

40A 100V โชตตกี้ ไดโอเดสป้องกัน MBR40100PTS
ติดต่อ

30A45V TO-247S Package Schottky Barrier Diodes สําหรับอุตสาหกรรม MBR3045PTS
ติดต่อ

MBR60200PT ไดโอ้ดความเร็วการสลับเร็ว Vf ต่ํา สําหรับการใช้งานความเร็ว
ติดต่อ

TO-247 60A 45V MBR6045PT ซุปเปอร์แบรเยอร์ไดโอเด
ติดต่อ

30A 200V MBR30200PT โฟลเตจด้านหน้า โลวเตจ VF Schottky Barrier Diodes สําหรับประสิทธิภาพการส่องแสง
ติดต่อ

HBT20L200FCT การสลับความดันต่ํา 20A200V Schottky ใน TO-220F Package
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC