บ้าน ผลิตภัณฑ์high power mosfet ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

high power mosfet ผลิตออนไลน์

(591)

การแก้ไขปัจจัยพลังงาน Super Junction MOSFET 11A 650V 350mΩ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:28

Gate Charge Super Junction MOSFET 11A 650V 350mΩ สําหรับเครื่องแปลง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:27

N Channel Super Junction Mosfet With Fast Diode Low Rdson สําหรับการให้พลังงานแบบสวิตช์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 16:22:39

Si Super Junction Mosfet With Fast Recovery Body Diode สําหรับประเภทการสลับอ่อน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 16:53:46

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:27

Si Super Junction MOSFET กระแสไฟฟ้าสูงเย็น Mos 47A 600V 68mΩ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:14

อินเวอร์เตอร์ IGBT กับ SiC Mosfet สําหรับมอเตอร์ไร้แปรงและบริหารแบตเตอรี่ลิเดียม
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:27:42

ความเร็วการสลับเร็ว พลังงาน IGBT 650V-1200V สําหรับโครงสร้างพื้นฐานของเครือข่าย
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:57

650V IGBT แรงครึ่งประสาท พร้อมอุปสรรคการเข้าสูงใน TO-247 แพ็คเกจ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:43

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:33

Page 31 of 60|< << 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

high power mosfet ผลิตออนไลน์

การแก้ไขปัจจัยพลังงาน Super Junction MOSFET 11A 650V 350mΩ
ติดต่อ

Gate Charge Super Junction MOSFET 11A 650V 350mΩ สําหรับเครื่องแปลง
ติดต่อ

N Channel Super Junction Mosfet With Fast Diode Low Rdson สําหรับการให้พลังงานแบบสวิตช์
ติดต่อ

Si Super Junction Mosfet With Fast Recovery Body Diode สําหรับประเภทการสลับอ่อน
ติดต่อ

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

Si Super Junction MOSFET กระแสไฟฟ้าสูงเย็น Mos 47A 600V 68mΩ
ติดต่อ

อินเวอร์เตอร์ IGBT กับ SiC Mosfet สําหรับมอเตอร์ไร้แปรงและบริหารแบตเตอรี่ลิเดียม
ติดต่อ

ความเร็วการสลับเร็ว พลังงาน IGBT 650V-1200V สําหรับโครงสร้างพื้นฐานของเครือข่าย
ติดต่อ

650V IGBT แรงครึ่งประสาท พร้อมอุปสรรคการเข้าสูงใน TO-247 แพ็คเกจ
ติดต่อ

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC