|
MOSFET ความดันต่ําที่น่าเชื่อถือและแข็งแกร่ง ใช้เทคโนโลยีขังที่ทันสมัย2025-02-08 09:42:37 |
|
|
30 วอลต์ ปริมาณพื้นผิว ระบบ MOSFET ความดันต่ํา2025-02-08 09:42:41 |
|
|
|
|
30A100V SBT30L100CT โฟลตต่ําไปข้างหน้า Schottky สําหรับหน่วยไฟฟ้า TO-220AB2025-02-08 09:44:01 |
|
|
40A45V SBT40L45CT โฟลตต่ําไปข้างหน้า TO-220AB ความสามารถกระแสไฟฟ้าสูง2025-02-08 09:44:09 |
|
|
|
|
|
|
30A150V SBT30L150FCT VF ต่ํา Schottky ประสิทธิภาพสูงสําหรับเครื่องปรับ2025-02-08 09:44:10 |
|
|
16A45V MBR1645CT ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky2025-02-08 09:43:20 |
|
|
10A 200V VF ต่ํา ปรับความชุ่มชื่นสูง ปัจจุบันกลับ Schottky Diodes MBR10200FCT2025-02-08 09:43:24 |
