บ้าน ผลิตภัณฑ์high voltage n channel mosfet ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(38)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

high voltage n channel mosfet ผลิตออนไลน์

(138)

11A 600V 338mΩ TO-220F MOS เย็น FOM ต่ําสําหรับปั๊มพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:11

30A 650V N ช่อง IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องปั่นไฟฟ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:58

TO-252 MOSFET ความดันสูง 11A 600V 338mΩ สําหรับอุปกรณ์ปรับแสง LED
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:13

10A650V N-Channel HV MOSFET CS10N65A2 TO-220F สําหรับเครื่องชาร์จพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:59

การสลับเร็ว MOSFET แรงสูง N ช่องมั่นคงสําหรับคนขับรถยนต์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:26:56

N ประเภท MOSFET พลังงานสูง 30V สําหรับอิเล็กทรอนิกส์บัลลาสต์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:06

N Channel EMI Immunity Testing SJ MOSFET สําหรับเครื่องชาร์จบนเครื่อง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:23

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 17:36:45

30Vgs โวลเตชั่น ประตูแหล่ง โวลเตชั่น MOSFET พลังงานสูง สําหรับมอเตอร์ DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:08

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:29:56

Page 8 of 14|< << 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

high voltage n channel mosfet ผลิตออนไลน์

11A 600V 338mΩ TO-220F MOS เย็น FOM ต่ําสําหรับปั๊มพลังงาน
ติดต่อ

30A 650V N ช่อง IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องปั่นไฟฟ้า
ติดต่อ

TO-252 MOSFET ความดันสูง 11A 600V 338mΩ สําหรับอุปกรณ์ปรับแสง LED
ติดต่อ

10A650V N-Channel HV MOSFET CS10N65A2 TO-220F สําหรับเครื่องชาร์จพลังงาน
ติดต่อ

การสลับเร็ว MOSFET แรงสูง N ช่องมั่นคงสําหรับคนขับรถยนต์
ติดต่อ

N ประเภท MOSFET พลังงานสูง 30V สําหรับอิเล็กทรอนิกส์บัลลาสต์
ติดต่อ

N Channel EMI Immunity Testing SJ MOSFET สําหรับเครื่องชาร์จบนเครื่อง
ติดต่อ

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

30Vgs โวลเตชั่น ประตูแหล่ง โวลเตชั่น MOSFET พลังงานสูง สําหรับมอเตอร์ DC
ติดต่อ

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC