|
650V-1200V IGBT Power Transistor สําหรับเครื่องควบคุมอิเล็กทรอนิกส์พลังงานสูง2025-02-08 09:41:54 |
|
|
|
|
|
|
10A150V MBR10150CT ไดโอเดสป้องกัน Schottky VF ต่ํา กระแสความชุ่มชื่นกลับสูง2025-02-08 09:43:23 |
|
|
20A60V MBR2060CT ไดโอเดสป้องกัน Schottky ด้วยความดันด้านหน้า VF ต่ํา2025-02-08 09:43:18 |
|
|
10A45V MBR1045CT โฟลเตจด้านหน้า โดดป้องกัน Schottky VF ต่ํา สําหรับตัวปรับ2025-02-08 09:43:18 |
|
|
|
|
|
|
30A 100V ไดโอเดสป้องกันกระแสสูง Schottky สําหรับ DC DC Converters TO-2472025-02-08 09:43:31 |
|
|
60A600V ไดโอเดสสลับความเร็วสูงที่มีกระแสรั่วน้อย MUR6060PT2025-02-08 09:43:44 |
