บ้าน ผลิตภัณฑ์high voltage semiconductor ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

high voltage semiconductor ผลิตออนไลน์

(579)

โมสเฟตความดันสูงหลายประการ สําหรับการเปลี่ยนแบบยาก
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:09

ความเร็วการสลับที่รวดเร็ว ความดันสูง IGBT 650V-1200V ใน TO-247 แพ็คเกจ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:57

11A 400V โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ํา N ช่องสําหรับ UPS
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:14

TO-252 MOSFET ความดันสูง 11A 600V 338mΩ สําหรับอุปกรณ์ปรับแสง LED
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:13

โวลเตชั่นสูง ความรั่วไหลต่ํา โคลด์โมสครึ่งประสาทสําหรับการชาร์จค้อน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:31

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

600V-1200V พลังงาน IGBT ผลงานความแข็งแรงสูง สําหรับการใช้งาน PFC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:59

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:17

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:25

Page 7 of 58|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

high voltage semiconductor ผลิตออนไลน์

โมสเฟตความดันสูงหลายประการ สําหรับการเปลี่ยนแบบยาก
ติดต่อ

ความเร็วการสลับที่รวดเร็ว ความดันสูง IGBT 650V-1200V ใน TO-247 แพ็คเกจ
ติดต่อ

11A 400V โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ํา N ช่องสําหรับ UPS
ติดต่อ

TO-252 MOSFET ความดันสูง 11A 600V 338mΩ สําหรับอุปกรณ์ปรับแสง LED
ติดต่อ

โวลเตชั่นสูง ความรั่วไหลต่ํา โคลด์โมสครึ่งประสาทสําหรับการชาร์จค้อน
ติดต่อ

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

600V-1200V พลังงาน IGBT ผลงานความแข็งแรงสูง สําหรับการใช้งาน PFC
ติดต่อ

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC