logo
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt power inverter ผู้ผลิตออนไลน์
ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT

(37)

IGBT พลังงานสูง

(38)

มอสเฟตกำลังสูง

(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

(81)

มอสเฟตแรงดันสูง

(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

(49)

VF ต่ํา Schottky

(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

(21)
ได้รับการรับรอง
ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง
ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt power inverter ผลิตออนไลน์

(575)
ซื้อ การสูญเสียพลังงานต่ํา Ultra Low VF Schottky Diode TO-252 สําหรับวงจรความเร็วสูง ออนไลน์ ผู้ผลิต

การสูญเสียพลังงานต่ํา Ultra Low VF Schottky Diode TO-252 สําหรับวงจรความเร็วสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:44:20
ซื้อ การบริโภคพลังงานต่ํา ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD TO-247AC สําหรับเครื่องซักผ้า ออนไลน์ ผู้ผลิต

การบริโภคพลังงานต่ํา ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD TO-247AC สําหรับเครื่องซักผ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-01-15 14:34:05
ซื้อ 7A 650V 525mΩ TO-220F MOS เย็นสําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด ออนไลน์ ผู้ผลิต

7A 650V 525mΩ TO-220F MOS เย็นสําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:42:12
ซื้อ 7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel To-220F สําหรับการจําหน่ายพลังงาน ออนไลน์ ผู้ผลิต

7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel To-220F สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:42:29
ซื้อ การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน ออนไลน์ ผู้ผลิต

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-10 17:36:45
ซื้อ Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง ออนไลน์ ผู้ผลิต

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-03-29 23:29:56
ซื้อ 5A650V CS5N65A5 วงจรสลับพลังงานของ MOSFET ความดันสูง ออนไลน์ ผู้ผลิต

5A650V CS5N65A5 วงจรสลับพลังงานของ MOSFET ความดันสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:42:59
ซื้อ 20A45V SBT20L45CT ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา สําหรับปัสดุพลังงานสวิตช์โหมดขนาดเล็ก ออนไลน์ ผู้ผลิต

20A45V SBT20L45CT ไดโอเดส Schottky VF ต่ํา สําหรับปัสดุพลังงานสวิตช์โหมดขนาดเล็ก
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:44:01
ซื้อ 4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET กระแสไฟฟ้าความดันสูงที่เปลี่ยนเร็วสําหรับการให้พลังงานโหมดสวิตช์ ออนไลน์ ผู้ผลิต

4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET กระแสไฟฟ้าความดันสูงที่เปลี่ยนเร็วสําหรับการให้พลังงานโหมดสวิตช์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:43:03
ซื้อ 16A200V อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับปัสดุพลังงาน MUR1620DC ออนไลน์ ผู้ผลิต

16A200V อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับปัสดุพลังงาน MUR1620DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:43:47
Page 28 of 58|< 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 >|
เกี่ยวกับ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ อินเวอร์เตอร์ IGBT ผู้ผลิต. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr