บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt power transistor ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(38)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt power transistor ผลิตออนไลน์

(72)

ทรานซิสเตอร์โมสเฟตความดันสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:11

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:36

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์อุตสาหกรรม ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงหลายประการ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-01-15 14:19:32

3A 500V 2.85Ω N Channel MOSFET TO-220F ทรานซิสเตอร์ที่มั่นคง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:10

9A500V CS9N50A2 TO-220F โมสเฟตความแรงสูง N Channel Power Transistors
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:05

MOSFET อุตสาหกรรมพลังงานสูง N ช่องสําหรับ Inverter แซมคอนดักเตอร์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:06

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว สําหรับเครื่องพลังงาน FRD
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 11:01:31

TO-220AC Ultrafast Diodes เวลาการฟื้นฟู 15-35ns สําหรับการใช้งานอุปกรณ์พลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:00

110A55V Silicon Low Power MOSFET TO-220AB Package สําหรับวงจรโลจิกดิจิตอล
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:45

Page 5 of 8|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

igbt power transistor ผลิตออนไลน์

ทรานซิสเตอร์โมสเฟตความดันสูง
ติดต่อ

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ
ติดต่อ

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์อุตสาหกรรม ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงหลายประการ
ติดต่อ

3A 500V 2.85Ω N Channel MOSFET TO-220F ทรานซิสเตอร์ที่มั่นคง
ติดต่อ

9A500V CS9N50A2 TO-220F โมสเฟตความแรงสูง N Channel Power Transistors
ติดต่อ

MOSFET อุตสาหกรรมพลังงานสูง N ช่องสําหรับ Inverter แซมคอนดักเตอร์
ติดต่อ

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว สําหรับเครื่องพลังงาน FRD
ติดต่อ

TO-220AC Ultrafast Diodes เวลาการฟื้นฟู 15-35ns สําหรับการใช้งานอุปกรณ์พลังงาน
ติดต่อ

110A55V Silicon Low Power MOSFET TO-220AB Package สําหรับวงจรโลจิกดิจิตอล
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC