logo
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt semiconductor ผู้ผลิตออนไลน์
ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT

(37)

IGBT พลังงานสูง

(38)

มอสเฟตกำลังสูง

(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

(81)

มอสเฟตแรงดันสูง

(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

(49)

VF ต่ํา Schottky

(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

(21)
ได้รับการรับรอง
ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง
ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง
ความคิดเห็นของลูกค้า
สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

(573)
ซื้อ UPS ไฮ เพอเวอร์ เซมคอนดักเตอร์ SiC MOS สําหรับศูนย์ควบคุมมอเตอร์ ออนไลน์ ผู้ผลิต

UPS ไฮ เพอเวอร์ เซมคอนดักเตอร์ SiC MOS สําหรับศูนย์ควบคุมมอเตอร์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-01-15 15:47:53
ซื้อ ชิปครึ่งตัว MOSFET ความดันต่ํา 40V ความเร็วการสลับสูง ออนไลน์ ผู้ผลิต

ชิปครึ่งตัว MOSFET ความดันต่ํา 40V ความเร็วการสลับสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:42:35
ซื้อ อินเวอร์เตอร์ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ มูลติสเซน ประตูแยกกัน สําหรับไฟฟ้าที่ไม่หยุด ออนไลน์ ผู้ผลิต

อินเวอร์เตอร์ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ มูลติสเซน ประตูแยกกัน สําหรับไฟฟ้าที่ไม่หยุด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-10 09:39:54
ซื้อ อุปกรณ์ครึ่งประสาทพลังงาน MOSFET พลังงานสูงสําหรับมอเตอร์ไร้แปรง ออนไลน์ ผู้ผลิต

อุปกรณ์ครึ่งประสาทพลังงาน MOSFET พลังงานสูงสําหรับมอเตอร์ไร้แปรง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-03-29 23:27:25
ซื้อ Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง ออนไลน์ ผู้ผลิต

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-03-29 23:29:56
ซื้อ TO-247 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ประตูแยก 650V-1200V สําหรับหน่วยไฟฟ้า ออนไลน์ ผู้ผลิต

TO-247 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ประตูแยก 650V-1200V สําหรับหน่วยไฟฟ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:41:53
ซื้อ ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ประตูแยกประสิทธิภาพสูง 650V-1200V สําหรับมอเตอร์ไฟฟ้า ออนไลน์ ผู้ผลิต

ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ประตูแยกประสิทธิภาพสูง 650V-1200V สําหรับมอเตอร์ไฟฟ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:41:52
ซื้อ การรั่วไหลต่ํา N Channel MOSFET พลังงานสูง TO-220F TO-263C TO-247AC ออนไลน์ ผู้ผลิต

การรั่วไหลต่ํา N Channel MOSFET พลังงานสูง TO-220F TO-263C TO-247AC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:44:29
ซื้อ ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา ออนไลน์ ผู้ผลิต

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-02-08 09:44:33
ซื้อ MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา ออนไลน์ ผู้ผลิต

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม
2025-03-29 23:28:17
Page 11 of 58|< 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 >|
เกี่ยวกับ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ อินเวอร์เตอร์ IGBT ผู้ผลิต. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr