บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt semiconductor ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

(573)

10A700V MOSFET ความดันสูง CS10N70A8 TO-220F สําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:04

7A700V TO-220F CS7N70A2 HV MOSFET สําหรับเครื่องควบคุมเครื่องยนต์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:03

4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET กระแสไฟฟ้าความดันสูงที่เปลี่ยนเร็วสําหรับการให้พลังงานโหมดสวิตช์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:03

50200V CS50N20AP MOSFET กระแสสลับแรงไฟฟ้าความแรงสูง ความแรงต่ํา Ciss สําหรับแอพพลิเคชันแอดอปเตอร์และชาร์จ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:03

12A650V โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ําสําหรับอุปกรณ์ปรับเปลี่ยน CS12N65A2 TO-220F
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:02

10A500V ความดันสูง ความต้านทานต่ํา MOSFET ประสิทธิภาพและความทนทานที่เพิ่มขึ้นสําหรับการแปลงพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:02

5A500V CS5N50A2 MOSFET ความดันสูง 100% Avalanche ทดสอบช่อง N สําหรับการใช้งานความดันสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:02

4A650V CS4N65A2 TO-220 เครื่องวงจรสลับไฟฟ้า MOSFET ความดันสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:07

13A500V CS13N50A8 TO-220F กรอบหนา โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:07

30A 100V Schottky Barrier Diodes ความเร็วในการเปลี่ยนที่รวดเร็วและเวลาการฟื้นฟูกลับที่ต่ํา MBR30100FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:25

Page 46 of 58|< << 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

10A700V MOSFET ความดันสูง CS10N70A8 TO-220F สําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

7A700V TO-220F CS7N70A2 HV MOSFET สําหรับเครื่องควบคุมเครื่องยนต์
ติดต่อ

4A700V TO-220F CS4N70A2 MOSFET กระแสไฟฟ้าความดันสูงที่เปลี่ยนเร็วสําหรับการให้พลังงานโหมดสวิตช์
ติดต่อ

50200V CS50N20AP MOSFET กระแสสลับแรงไฟฟ้าความแรงสูง ความแรงต่ํา Ciss สําหรับแอพพลิเคชันแอดอปเตอร์และชาร์จ
ติดต่อ

12A650V โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ําสําหรับอุปกรณ์ปรับเปลี่ยน CS12N65A2 TO-220F
ติดต่อ

10A500V ความดันสูง ความต้านทานต่ํา MOSFET ประสิทธิภาพและความทนทานที่เพิ่มขึ้นสําหรับการแปลงพลังงาน
ติดต่อ

5A500V CS5N50A2 MOSFET ความดันสูง 100% Avalanche ทดสอบช่อง N สําหรับการใช้งานความดันสูง
ติดต่อ

4A650V CS4N65A2 TO-220 เครื่องวงจรสลับไฟฟ้า MOSFET ความดันสูง
ติดต่อ

13A500V CS13N50A8 TO-220F กรอบหนา โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ํา
ติดต่อ

30A 100V Schottky Barrier Diodes ความเร็วในการเปลี่ยนที่รวดเร็วและเวลาการฟื้นฟูกลับที่ต่ํา MBR30100FCT
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC