บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt semiconductor ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

(573)

MOSFET ขนาดขนาดเล็กความดันต่ําสําหรับการปรับสัญลักษณ์ TO-263C
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:38

ความเร็วการสลับสูง ความดันต่ํา MOSFET หลายฟังก์ชัน TO-220AB PDFN5060
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:39

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:39

การปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ การันตีวงจรอิเล็กทรอนิกส์ความดันต่ํา MOSFET
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:39

เครื่องวงจรควบคุมความดันต่ํา 60V เทคโนโลยี MOSFET Trench ความเร็วการสลับสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:40

30 วอลต์ ปริมาณพื้นผิว ระบบ MOSFET ความดันต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:41

150V โมสเฟตความดันต่ํา สําหรับอินเตอร์เฟซเซอร์ อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:41

MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

Page 57 of 58|< << 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

MOSFET ขนาดขนาดเล็กความดันต่ําสําหรับการปรับสัญลักษณ์ TO-263C
ติดต่อ

ความเร็วการสลับสูง ความดันต่ํา MOSFET หลายฟังก์ชัน TO-220AB PDFN5060
ติดต่อ

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

การปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ การันตีวงจรอิเล็กทรอนิกส์ความดันต่ํา MOSFET
ติดต่อ

เครื่องวงจรควบคุมความดันต่ํา 60V เทคโนโลยี MOSFET Trench ความเร็วการสลับสูง
ติดต่อ

30 วอลต์ ปริมาณพื้นผิว ระบบ MOSFET ความดันต่ํา
ติดต่อ

150V โมสเฟตความดันต่ํา สําหรับอินเตอร์เฟซเซอร์ อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์
ติดต่อ

MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้
ติดต่อ

สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application
ติดต่อ

55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC