บ้าน ผลิตภัณฑ์low power mosfet transistors ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(38)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

low power mosfet transistors ผลิตออนไลน์

(72)

เครื่องชาร์จสตาร์จอินเวอร์เตอร์ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับ OBC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:27:42

ไดโอเดสการฟื้นฟูที่รวดเร็วมาก 15-35ns เวลาการฟื้นฟูกลับสําหรับ DC-DC Converter
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:57

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วที่สอดคล้องกับ Rohs ในอุตสาหกรรมสําหรับอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:58

TO-247 อินเวอร์เตอร์ 600V IGBT สําหรับระบบพลังงานที่เกิดใหม่
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:46

ความเร็วการเปลี่ยนที่เร็วขึ้น TO-247 IGBT 650V-1200V สําหรับเครื่องดูดฝุ่น
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:55

การควบคุมมอเตอร์ผ่านการติดตั้งรู IGBT Inverter ความถี่การสลับ 20KHz-60KHz
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:42

40A200V MUR4020PT เครื่องแก้ไขการฟื้นฟูเร็ว ไดโอเดสกระแสไฟฟ้าสูง TO-247
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:46

30A600V ไดโอเดสการฟื้นฟูเร็วความน่าเชื่อถือสูง สําหรับการปรับ MUR3060FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:53

20A200V ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับระบบเก็บข้อมูล TO-220F MUR2020FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:51

ไดโอเดสรีปเรสต์และไดโอเดสรีปเรสต์อัลตราฟรีเฟกเวนซ์สําหรับวงจรความถี่สูงสุด MUR3040FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:47

Page 7 of 8|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

low power mosfet transistors ผลิตออนไลน์

เครื่องชาร์จสตาร์จอินเวอร์เตอร์ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับ OBC
ติดต่อ

ไดโอเดสการฟื้นฟูที่รวดเร็วมาก 15-35ns เวลาการฟื้นฟูกลับสําหรับ DC-DC Converter
ติดต่อ

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วที่สอดคล้องกับ Rohs ในอุตสาหกรรมสําหรับอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค
ติดต่อ

TO-247 อินเวอร์เตอร์ 600V IGBT สําหรับระบบพลังงานที่เกิดใหม่
ติดต่อ

ความเร็วการเปลี่ยนที่เร็วขึ้น TO-247 IGBT 650V-1200V สําหรับเครื่องดูดฝุ่น
ติดต่อ

การควบคุมมอเตอร์ผ่านการติดตั้งรู IGBT Inverter ความถี่การสลับ 20KHz-60KHz
ติดต่อ

40A200V MUR4020PT เครื่องแก้ไขการฟื้นฟูเร็ว ไดโอเดสกระแสไฟฟ้าสูง TO-247
ติดต่อ

30A600V ไดโอเดสการฟื้นฟูเร็วความน่าเชื่อถือสูง สําหรับการปรับ MUR3060FCT
ติดต่อ

20A200V ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับระบบเก็บข้อมูล TO-220F MUR2020FCT
ติดต่อ

ไดโอเดสรีปเรสต์และไดโอเดสรีปเรสต์อัลตราฟรีเฟกเวนซ์สําหรับวงจรความถี่สูงสุด MUR3040FCT
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC