บ้าน ผลิตภัณฑ์low vf schottky diode ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

low vf schottky diode ผลิตออนไลน์

(576)

MOSFET ความแรงดันสูง Ciss ต่ํา สําหรับวงจรสวิทช์พลังงานของชาร์จและอุปกรณ์ปรับเปลี่ยน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:08

ความต้านทาน ON ต่ํา โวลเตจสูง N Channel MOSFET 30V ด้วยการทดสอบหินตก 100%
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:15

N Channel แซมคอนดักเตอร์พลังงานสูงที่มีความรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:30

โวลเตชั่นสูง ความรั่วไหลต่ํา โคลด์โมสครึ่งประสาทสําหรับการชาร์จค้อน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:31

พลังงานสูง การรั่วไหลต่ํา N Channel IGBT ทนต่ออุณหภูมิสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:32

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:33

N Channel High Voltage Semiconductor With Low Leakage Junction Capacity (ช่อง N โซลาร์เซมินทรีย์ความดันสูงที่มีความจุในการแยกที่รั่วไหลต่ํา)
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:33

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:17

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

ความดัน IGBT สําหรับอุณหภูมิที่มีการรั่วไหลต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

Page 22 of 58|< << 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

low vf schottky diode ผลิตออนไลน์

MOSFET ความแรงดันสูง Ciss ต่ํา สําหรับวงจรสวิทช์พลังงานของชาร์จและอุปกรณ์ปรับเปลี่ยน
ติดต่อ

ความต้านทาน ON ต่ํา โวลเตจสูง N Channel MOSFET 30V ด้วยการทดสอบหินตก 100%
ติดต่อ

N Channel แซมคอนดักเตอร์พลังงานสูงที่มีความรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา
ติดต่อ

โวลเตชั่นสูง ความรั่วไหลต่ํา โคลด์โมสครึ่งประสาทสําหรับการชาร์จค้อน
ติดต่อ

พลังงานสูง การรั่วไหลต่ํา N Channel IGBT ทนต่ออุณหภูมิสูง
ติดต่อ

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

N Channel High Voltage Semiconductor With Low Leakage Junction Capacity (ช่อง N โซลาร์เซมินทรีย์ความดันสูงที่มีความจุในการแยกที่รั่วไหลต่ํา)
ติดต่อ

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

ความดัน IGBT สําหรับอุณหภูมิที่มีการรั่วไหลต่ํา
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC