บ้าน ผลิตภัณฑ์n channel igbt ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(38)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

n channel igbt ผลิตออนไลน์

(137)

20A500V MOSFET ความดันสูง N-Type CS20N50A8 TO-220F สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:04

ทรานซิสเตอร์อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์หลายประการ MOSFET แข่งขันสูง N Channel
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:27:20

การสลับความเร็วสูง โมสเฟตพลังงานความดันสูง สําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:12

LT80N06AF 60V 80A N Channel MOSFET ความดันต่ํา สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:29:43

N Channel Super Junction Mosfet With Fast Diode Low Rdson สําหรับการให้พลังงานแบบสวิตช์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 16:22:39

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 17:36:45

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:29:56

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

20A600V CS20N60A8 MOSFET ความดันสูงประเภท N สําหรับหน่วยไฟฟ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:57

30Vgs โวลเตชั่น ประตูแหล่ง โวลเตชั่น MOSFET พลังงานสูง สําหรับมอเตอร์ DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:08

Page 7 of 14|< << 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

n channel igbt ผลิตออนไลน์

20A500V MOSFET ความดันสูง N-Type CS20N50A8 TO-220F สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

ทรานซิสเตอร์อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์หลายประการ MOSFET แข่งขันสูง N Channel
ติดต่อ

การสลับความเร็วสูง โมสเฟตพลังงานความดันสูง สําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

LT80N06AF 60V 80A N Channel MOSFET ความดันต่ํา สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

N Channel Super Junction Mosfet With Fast Diode Low Rdson สําหรับการให้พลังงานแบบสวิตช์
ติดต่อ

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

20A600V CS20N60A8 MOSFET ความดันสูงประเภท N สําหรับหน่วยไฟฟ้า
ติดต่อ

30Vgs โวลเตชั่น ประตูแหล่ง โวลเตชั่น MOSFET พลังงานสูง สําหรับมอเตอร์ DC
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC