บ้าน ผลิตภัณฑ์schottky diode vf ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(38)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

schottky diode vf ผลิตออนไลน์

(576)

80V โมสเฟตความดันต่ํา การกระจายพลังงานและวงจรการชาร์จแบตเตอรี่
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:41

MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 17:36:45

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:29:56

Page 58 of 58|< << 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

schottky diode vf ผลิตออนไลน์

80V โมสเฟตความดันต่ํา การกระจายพลังงานและวงจรการชาร์จแบตเตอรี่
ติดต่อ

MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้
ติดต่อ

สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application
ติดต่อ

55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F
ติดต่อ

การปรับปรุงเทคโนโลยีขังที่ก้าวหน้า โหมดพลังงาน Mosfet N Channel สําหรับการจัดการพลังงาน
ติดต่อ

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC