บ้าน ผลิตภัณฑ์sic mosfets ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

sic mosfets ผลิตออนไลน์

(574)

TO-247 ระบบการขยายพลังงาน IGBT 25A 1200V ความจุสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:47

16A400V TO-220F ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว 15-35ns สําหรับเครื่องปรับพลังงาน MUR1640FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:52

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:39

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

อุปกรณ์ที่มีพลังงานคงที่ที่แยกแยกที่มีความต้านทานต่ํามาก มีอัตรา EMI ใหญ่
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:16

TO-247 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ประตูแยก 650V-1200V สําหรับหน่วยไฟฟ้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:53

การติดตั้งพื้นผิว 7A 600V Super Junction MOS สําหรับเครื่องพลังงาน AC-DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:25

650V-1200V วอลเตจเรตติ้ง พลังงานสูง IGBT สําหรับอินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:27:59

การปรับปรุง IGBT พลังงานสูง สําหรับ การควบคุมพลังงานและการแปลง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:02

อุปสรรคการเข้าสูง อํานาจสูง IGBT 20KHz-60KHz สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:55

Page 28 of 58|< << 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

sic mosfets ผลิตออนไลน์

TO-247 ระบบการขยายพลังงาน IGBT 25A 1200V ความจุสูง
ติดต่อ

16A400V TO-220F ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว 15-35ns สําหรับเครื่องปรับพลังงาน MUR1640FCT
ติดต่อ

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อุปกรณ์ที่มีพลังงานคงที่ที่แยกแยกที่มีความต้านทานต่ํามาก มีอัตรา EMI ใหญ่
ติดต่อ

TO-247 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ประตูแยก 650V-1200V สําหรับหน่วยไฟฟ้า
ติดต่อ

การติดตั้งพื้นผิว 7A 600V Super Junction MOS สําหรับเครื่องพลังงาน AC-DC
ติดต่อ

650V-1200V วอลเตจเรตติ้ง พลังงานสูง IGBT สําหรับอินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม
ติดต่อ

การปรับปรุง IGBT พลังงานสูง สําหรับ การควบคุมพลังงานและการแปลง
ติดต่อ

อุปสรรคการเข้าสูง อํานาจสูง IGBT 20KHz-60KHz สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC