บ้าน ผลิตภัณฑ์super junction mosfet ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

super junction mosfet ผลิตออนไลน์

(574)

20A100V ปริมาณพื้นที่ต่ํา VF Schottky TO-263 SBT20V100DC สําหรับอุปกรณ์ปรับพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:07

40A200V MBR40200DC Planner Schottky Barrier Diodes สําหรับตัวปรับ TO-263
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:17

30A45V SBT30L45DC Ultra Low VF Schottky Rectifier ความสามารถกระแสไฟฟ้าสูง TO-263
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:07

30A150V MBR30150DC TO-263 ไดโอ้ดป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์และอะแดปเตอร์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:16

10A100V MBR10100DC TO-263 โดดป้องกัน Schottky สําหรับอุปกรณ์ปรับพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:16

40A100V SBT40L100CT ความเร็วการสลับอย่างรวดเร็ว ความเร็วต่ํา VF Schottky สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:07

40A60V SBT40L60CT TO-220AB เครื่องปรับดีโอเดส Schottky VF ต่ําสําหรับการเปลี่ยน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:06

40A150V SBT40U150CT โฟลตต่ําไปข้างหน้า พร้อมความสามารถการกระชับกระชับกระชับกระชับสูงไปข้างหน้า
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:06

20A150V SBT20V150CT VFต่ํา Schottky สําหรับเครื่องมือพลังงานไฟฟ้า TO-220AB
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:06

10A100V SBT10L100CT เวลาฟื้นฟูกลับต่ํา VF Schottky
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:05

Page 49 of 58|< << 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

super junction mosfet ผลิตออนไลน์

20A100V ปริมาณพื้นที่ต่ํา VF Schottky TO-263 SBT20V100DC สําหรับอุปกรณ์ปรับพลังงาน
ติดต่อ

40A200V MBR40200DC Planner Schottky Barrier Diodes สําหรับตัวปรับ TO-263
ติดต่อ

30A45V SBT30L45DC Ultra Low VF Schottky Rectifier ความสามารถกระแสไฟฟ้าสูง TO-263
ติดต่อ

30A150V MBR30150DC TO-263 ไดโอ้ดป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์และอะแดปเตอร์
ติดต่อ

10A100V MBR10100DC TO-263 โดดป้องกัน Schottky สําหรับอุปกรณ์ปรับพลังงาน
ติดต่อ

40A100V SBT40L100CT ความเร็วการสลับอย่างรวดเร็ว ความเร็วต่ํา VF Schottky สําหรับการจําหน่ายพลังงาน
ติดต่อ

40A60V SBT40L60CT TO-220AB เครื่องปรับดีโอเดส Schottky VF ต่ําสําหรับการเปลี่ยน
ติดต่อ

40A150V SBT40U150CT โฟลตต่ําไปข้างหน้า พร้อมความสามารถการกระชับกระชับกระชับกระชับสูงไปข้างหน้า
ติดต่อ

20A150V SBT20V150CT VFต่ํา Schottky สําหรับเครื่องมือพลังงานไฟฟ้า TO-220AB
ติดต่อ

10A100V SBT10L100CT เวลาฟื้นฟูกลับต่ํา VF Schottky
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC