รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

Name: รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด

ประสิทธิภาพสูง 15A 650V อํานาจสูง IGBT TO-263C สําหรับควบคุมมอเตอร์

อินเวอร์เตอร์ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ มูลติสเซน ประตูแยกกัน สําหรับไฟฟ้าที่ไม่หยุด

ความสามารถในการปิดความดันสูง TO-247 IGBT 40A 1200V สําหรับการแปลงพลังงาน

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

ภาพใหญ่ : รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	Lingxun
ได้รับการรับรอง:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
เอกสาร:	About Lingxun(1).pdf

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	ตามคําสั่งของคุณ
ราคา:	According to your order requirement
รายละเอียดการบรรจุ:	หลอด+กล่อง
เวลาการส่งมอบ:	ตามคําสั่งของคุณ
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
สามารถในการผลิต:	600KK/ปี

ติดต่อ

รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

ลักษณะ

ความเร็วในการเปลี่ยน:	ความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้น	ชื่อสินค้า:	IGBT พลังงานสูง
การใช้งาน:	OBC, แท่นชาร์จ, เครื่องเชื่อม, สวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย, อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์, การจัดเก็บพลั	ข้อดี:	การออกแบบ Mesa ที่แคบ, การออกแบบผสมผสานร่องที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสมยิ่งขึ้น, การออกแบบความน่าเ
ประเภทอุปกรณ์:	ไอจีบีที	แพ็คเกจ:	TO-247
เน้น:	IGBT พลังงานสูง , เครื่องแปลงความถี่ IGBT พลังงานสูง , รูปแบบการขยายพลังงานสูง IGBT

MOSFET ความดันต่ําหลายฟังก์ชันสําหรับการจัดการพลังงาน

ลักษณะ

• คณิตอุณหภูมิบวก

• การสลับความเร็วสูง

• ความดันความชุ่มชื่นที่ต่ําจากคอลเลคเตอร์ไปยังเอเมเตอร์

• ความสามารถในการสลับปานกลางที่ง่าย

• การตัดสั้นทนเวลา 10μs

• ความแข็งแรงสูง

การใช้งาน

• โรงไฟฟ้าพกพา

• คน ขับ รถ

กล่อง:

TO-247

แท็ก:

IGBT ความดันสูง,

N ช่อง IGBT,

IGBT เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

รายละเอียดการติดต่อ

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

ผู้ติดต่อ: Mrs. Qinqin

โทร: +8618988720515

แฟกซ์: 86-189-8872-0515

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

เครื่องแปลงพลังงาน IGBT 650V-1200V ประหยัดพลังงานสําหรับสวิตช์สวิตช์

ระดับความกระชับกําลัง: 650V-1200V

การใช้งาน: เครื่องสำรองไฟ, อุปกรณ์กำจัดขน, ไฟแฟลช

ความเร็วในการเปลี่ยน: ความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้น

ความถี่ในการสมัคร: 20KHZ-60KHZ

N ช่อง 15A 650V ความแรงสูง IGBT TO-220F สําหรับอุปกรณ์บ้าน

ประเภทอุปกรณ์: ไอจีบีที

การใช้งาน: การสลับพลังงานสูง

แรงดันเกต-อิมิตเตอร์สูงสุด: ±20V

พลัง: พลังงานสูง

600V-1200V พลังงาน IGBT ผลงานความแข็งแรงสูง สําหรับการใช้งาน PFC

ความเร็วในการเปลี่ยน: ความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้น

การใช้งาน: เครื่องดูดฝุ่น , อินเวอร์เตอร์ทั่วไป การใช้งาน PFC • เครื่องสำรองไฟ, อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์,

ระดับความกระชับกําลัง: 650V-1200V

ความถี่ในการสมัคร: 20KHZ-60KHZ

30A 650V N ช่อง IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องปั่นไฟฟ้า

แรงดันคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์: 650V

แรงดันเกต-อิมิตเตอร์: ±20

กระแสพัลส์คอลเลคเตอร์, tp ถูกจำกัดโดย Tvjmax: 120A

การกระจายพลังงาน (TC=25℃): 50W

ความเร็วการสลับเร็ว พลังงาน IGBT 650V-1200V สําหรับโครงสร้างพื้นฐานของเครือข่าย

การใช้งาน: เครื่องใช้ภายในบ้าน, มอเตอร์ไดรฟ์, พัดลม, ปั๊ม, อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

ความเร็วในการเปลี่ยน: ความเร็วในการสลับที่เร็วขึ้น

ประเภทของแพคเกจ: TO-247

ประเภทอุปกรณ์: ไอจีบีที

รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

ประสิทธิภาพสูง 15A 650V อํานาจสูง IGBT TO-263C สําหรับควบคุมมอเตอร์

อินเวอร์เตอร์ทรานซิสเตอร์ไบโปลาร์ มูลติสเซน ประตูแยกกัน สําหรับไฟฟ้าที่ไม่หยุด

ความสามารถในการปิดความดันสูง TO-247 IGBT 40A 1200V สําหรับการแปลงพลังงาน

รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

รูปแบบการขยายช่อง N IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องแปลงความถี่

IGBT พลังงานสูง

เครื่องแปลงความถี่ IGBT พลังงานสูง

รูปแบบการขยายพลังงานสูง IGBT

IGBT ความดันสูง,

N ช่อง IGBT,

IGBT เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์

เครื่องแปลงพลังงาน IGBT 650V-1200V ประหยัดพลังงานสําหรับสวิตช์สวิตช์

N ช่อง 15A 650V ความแรงสูง IGBT TO-220F สําหรับอุปกรณ์บ้าน

600V-1200V พลังงาน IGBT ผลงานความแข็งแรงสูง สําหรับการใช้งาน PFC

30A 650V N ช่อง IGBT พลังงานสูงสําหรับเครื่องปั่นไฟฟ้า

ความเร็วการสลับเร็ว พลังงาน IGBT 650V-1200V สําหรับโครงสร้างพื้นฐานของเครือข่าย

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC