การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

Name: การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

ภาพใหญ่ : การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	Lingxun
ได้รับการรับรอง:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
เอกสาร:	About Lingxun(1).pdf

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	ตามคําสั่งของคุณ
ราคา:	According to your order requirement
รายละเอียดการบรรจุ:	หลอด+กล่อง
เวลาการส่งมอบ:	ตามคําสั่งของคุณ
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
สามารถในการผลิต:	600KK/ปี

ติดต่อ

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

ลักษณะ

โวลเตชั่น:	ไฟฟ้าแรงสูง	ข้อดี:	กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่เชื่อถือได้
ความจุของแยก:	ความจุต่ํา	ประสิทธิภาพ:	ประสิทธิภาพสูง
ลักษณะ:	RDS ต่ำ (เปิด) ต่อพื้นที่ชิป (FOM ต่ำ)	การใช้งาน:	อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ แหล่งจ่ายไฟ AC-DC
เน้น:	ช่อง N ของครึ่งประสาทพลังงานสูง , ช่อง N พลังงานสูง , N Channel แฮร์พาวเวอร์ เซมคอนดักเตอร์

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

ลักษณะ

• ค่าประตูต่ํา

• RDS ต่ํา ((on) ต่อพื้นที่ชิป ((Low FOM)

• การสลับและการสูญเสียการนําไฟน้อยมาก

• ความแข็งแกร่งในการสลับที่สูงมาก

การใช้งาน

• อินเวอร์เตอร์พลังแสงอาทิตย์

•ทีวี LCD/LED/PDP

• พลังงานไฟฟ้าโทรคมนาคม/เซอร์เวอร์

• แหล่งไฟฟ้า AC-DC

แท็ก:

สายประจุไฟฟ้าสูง,

มอสเฟตกำลังสูง,

IGBT พลังงานสูง

รายละเอียดการติดต่อ

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

ผู้ติดต่อ: Mrs. Qinqin

โทร: +8618988720515

แฟกซ์: 86-189-8872-0515

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET พลังงานสูง สําหรับการสลับชาร์จ

รหัส: 11ก

วดส: 650V

ประเภท RDSON VGS=10V: 340mΩ

ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน (Tj): -50°C ถึง +150°C

สายประจุไฟฟ้าแรงสูงชนิด N สายประจุไฟฟ้าแรงสูงที่มีการรั่วไหลน้อย

ความทนทานต่ออุณหภูมิ: ทนต่ออุณหภูมิสูง

ประเภท: เอ็น

แสงสูง: เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงมีลักษณะพิเศษคือความสามารถในการจัดการกับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าสูงอย

ความจุของแยก: ความจุต่ํา

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ

รหัส: 15A

วดส: 600V

ประเภท RDSON VGS=10V: 274mΩ

การใช้งาน: อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์, ทีวี LCD/LED/PDP, แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม/เซิร์ฟเวอร์

การสลับต่ํา แรงสูงครึ่งประสาท 15A 650V 238mΩ สําหรับเครื่องแปลง DC-DC

รหัส: 15A

แรงดันเดรน-ซอร์ส: 650V

ประเภท RDSON VGS=10V: 238mΩ

20A 650V 150mΩ MOS เย็นสําหรับเครื่องพลังงานสวิตช์โหมด

รหัส: 20A

แรงดันเดรน-ซอร์ส: 650V

ประเภท RDSON VGS=10V: 150mΩ

การใช้งาน: โทโพโลยีสวิตชิ่งแบบซอฟต์ โทรคมนาคม และอุปกรณ์จ่ายไฟของเซิร์ฟเวอร์

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

ช่อง N ของครึ่งประสาทพลังงานสูง

ช่อง N พลังงานสูง

N Channel แฮร์พาวเวอร์ เซมคอนดักเตอร์

สายประจุไฟฟ้าสูง,

มอสเฟตกำลังสูง,

IGBT พลังงานสูง

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET พลังงานสูง สําหรับการสลับชาร์จ

สายประจุไฟฟ้าแรงสูงชนิด N สายประจุไฟฟ้าแรงสูงที่มีการรั่วไหลน้อย

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ

การสลับต่ํา แรงสูงครึ่งประสาท 15A 650V 238mΩ สําหรับเครื่องแปลง DC-DC

20A 650V 150mΩ MOS เย็นสําหรับเครื่องพลังงานสวิตช์โหมด

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC