N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

Name: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
SKU: ซีเอส11เอ็น40เอ
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด

MOSFET พลังงานสูงอุตสาหกรรม การระบายความร้อน โมสเฟตโอกไซด์โลหะ

500V N Channel มอสเฟตพลังงานสูง มหาประสงค์ โลหะออกไซด์ครึ่งประสาท

MOSFET ขนาดแรง 600V สําหรับระบบควบคุมและวงจรสะพาน

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

ภาพใหญ่ : N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	Lingxun
ได้รับการรับรอง:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
หมายเลขรุ่น:	ซีเอส11เอ็น40เอ
เอกสาร:	About Lingxun(1).pdf

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	ตามคําสั่งของคุณ
ราคา:	According to your order requirement
รายละเอียดการบรรจุ:	ยืนยันแพ็คเกจตามหมายเลขชิ้นส่วน
เวลาการส่งมอบ:	ตามคําสั่งของคุณ
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
สามารถในการผลิต:	600KK/ปี

ติดต่อ

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

ลักษณะ

ความต้านทาน:	ความต้านทานต่ำ	ระยะอุณหภูมิการทํางาน:	-55°C ถึง +150°C
ประเภท:	มอสเฟต	พลัง:	พลังงานสูง
ประเภทของแพคเกจ:	TO-220AB	เอ็ม.พี.เอ็น:	ซีเอส11เอ็น40เอ1
Rdson-ประเภท:	0.50Ω	รหัส:	11ก
วดส:	400V
เน้น:	ระบบการขยายพลังงาน MOSFET 11A , ระบบการขยายพลังงาน MOSFET 400V , แอดป์เตอร์ N Channel MOSFET

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

ลักษณะหลัก

ID:11A

VDSS: 400V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

ลักษณะ

การเปลี่ยนเร็ว

ความต้านทานต่ํา

ค่า Gate ต่ํา

การทดสอบพลังงานหินตก 100% Single Plus

ลักษณะ

• การ เปลี่ยน เร็ว

• ความต้านทาน ON ต่ํา

• ค่าบริการประตูต่ํา

• การทดสอบพลังงานหินตก 100% Single Pulse

การใช้งาน

วงจรสลับพลังงานของตัวปรับและชาร์จ

ข้อมูลทางกล

• กระเป๋า: พลาสติกทรง

• สถานที่ติดตั้ง:

• พลาสติกแบบพับ: UL การจัดอันดับการเผาไหม้ 94V-0

• ไม่มีหมูตามแนวทาง EU RoHS 2011/65/EU

• อุณหภูมิอาบน้ําผสมสูงสุด 275 °C 10s ต่อ JESD 22-B106

แท็ก:

ผู้ติดต่อ: Mrs. Qinqin

โทร: +8618988720515

แฟกซ์: 86-189-8872-0515

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

N type High Power MOSFET Power Management Solution สําหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

ประเภทอุปกรณ์: มอสเฟต

ประเภท: เอ็น

แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs): ±30V

วัสดุ: ซิลิคอน

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 ติดผิว

รหัส: 5A

วดส: 650V

ประเภท RDSON VGS=10V: 780mΩ

ลักษณะ: RDS (ON) และ FOM ต่ำ, การสูญเสียการสลับต่ำมาก, ความเสถียรและความสม่ำเสมอที่ยอดเยี่ยม

การระบายความร้อน ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิคอน MOSFET พลังงานสูง

ประเภท: เอ็น

ประเทศกําเนิด: ประเทศจีน ใหม่เอี่ยม ไม่เคยใช้งาน

ประเภทอุปกรณ์: มอสเฟต

ความต้านทาน: ความต้านทานต่ำ

7A 650V 525mΩ TO-220F MOS เย็นสําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด

รหัส: 7A

วดส: 650V

ประเภท RDSON VGS=10V: 520mΩ

การใช้งาน: แหล่งจ่ายไฟสลับโหมด (SMPS), แหล่งจ่ายไฟสำรอง (UPS), การแก้ไขตัวประกอบกำลัง (PFC)

MOSFET มหาประสงค์พลังงานสูง TO-247 สําหรับการจัดหาพลังงานที่ไม่หยุด

ประเภทของแพคเกจ: TO-247

ประเภทอุปกรณ์: มอสเฟต

พลัง: พลังงานสูง

เทคโนโลย: นักวางแผน

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

MOSFET พลังงานสูงอุตสาหกรรม การระบายความร้อน โมสเฟตโอกไซด์โลหะ

500V N Channel มอสเฟตพลังงานสูง มหาประสงค์ โลหะออกไซด์ครึ่งประสาท

MOSFET ขนาดแรง 600V สําหรับระบบควบคุมและวงจรสะพาน

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V สําหรับตัวปรับและเครื่องชาร์จ

ระบบการขยายพลังงาน MOSFET 11A

ระบบการขยายพลังงาน MOSFET 400V

แอดป์เตอร์ N Channel MOSFET

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง),

เอ็น แชนแนล มอสเฟต,

MOS เย็น

N type High Power MOSFET Power Management Solution สําหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม

5A 650V 780mΩ N Channel Super Junction MOSFET TO-252 ติดผิว

การระบายความร้อน ทรานซิสเตอร์พลังงานซิลิคอน MOSFET พลังงานสูง

7A 650V 525mΩ TO-220F MOS เย็นสําหรับการจําหน่ายพลังงานที่ไม่หยุด

MOSFET มหาประสงค์พลังงานสูง TO-247 สําหรับการจัดหาพลังงานที่ไม่หยุด

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC