ประเทศจีน Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

• 

  650V สมาร์ทโฟน ลดความต้านทาน Super Junction Mosfet สําหรับ PFC

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  ผู้ผลิต:หลิงซุน

  การใช้งาน:แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม/เซิร์ฟเวอร์

  ติดต่อตอนนี้
• 

  อุปกรณ์ที่มีพลังงานคงที่ที่แยกแยกที่มีความต้านทานต่ํามาก มีอัตรา EMI ใหญ่

  แสงสูง:ทดสอบ Avalanche 100% ต่ำกว่ามาก ประสิทธิภาพ Ron*A สำหรับประสิทธิภาพในสถานะออน

  การใช้งาน:แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม/เซิร์ฟเวอร์

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  อุปกรณ์จําแนกพลังงานโทรคมนาคม Super Junction MOSFET แบบ N

  แสงสูง:ทดสอบ Avalanche 100% ต่ำกว่ามาก ประสิทธิภาพ Ron*A สำหรับประสิทธิภาพในสถานะออน

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  ประเภทอุปกรณ์:อุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  N Type Super Junction Mosfet สําหรับอุปกรณ์ประกอบไฟฟ้าโทรคมนาคม / เซอร์เวอร์

  ประเภท:เอ็น

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  การใช้งาน:แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม / เซิร์ฟเวอร์

  ติดต่อตอนนี้
• 

  อิเล็กทรอนิกส์ Advanced Super Junction MOSFET ในไฟฟ้าที่ไม่หยุด

  แสงสูง:ทดสอบ Avalanche 100% ต่ำกว่ามาก ประสิทธิภาพ Ron*A สำหรับประสิทธิภาพในสถานะออน

  การใช้งาน:แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม/เซิร์ฟเวอร์

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  ติดต่อตอนนี้
• 

  โทรคมนาคม / เซอร์เวอร์ พลังงานไฟฟ้า Sj Mosfet ผลงานสูง

  ประเภท:เอ็น

  ผู้ผลิต:หลิงซุน

  แสงสูง:ทดสอบ Avalanche 100% ต่ำกว่ามาก ประสิทธิภาพ Ron*A สำหรับประสิทธิภาพในสถานะออน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  7A 650V อีเอ็มไอขนาดใหญ่ N Channel MOSFET LC65R600F

  การใช้งาน:แหล่งจ่ายไฟโทรคมนาคม/เซิร์ฟเวอร์

  ผู้ผลิต:หลิงซุน

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  ติดต่อตอนนี้
• 

  20A 650V Super Junction Mos สําหรับไฟฟ้าเซอร์เวอร์โทรคมนาคม

  แสงสูง:ทดสอบ Avalanche 100% ต่ำกว่ามาก ประสิทธิภาพ Ron*A สำหรับประสิทธิภาพในสถานะออน

  ผู้ผลิต:หลิงซุน

  ประเภทอุปกรณ์:อุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  พลังงาน EMI ขั้นต่ําขนาดใหญ่ Super Mosfet 100% การทดสอบหิมะ

  ประเภท:เอ็น

  อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI:ขอบ EMI ขนาดใหญ่

  ผู้ผลิต:หลิงซุน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet ความต้านทานต่ําในทรานซิสเตอร์ HV

  รหัส:4A

  แรงดันเดรน-ซอร์ส:650V

  ประเภท RDSON VGS=10V:880mΩ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  Si Super Junction MOSFET กระแสไฟฟ้าสูงเย็น Mos 47A 600V 68mΩ

  รหัส:47A

  แรงดันเดรน-ซอร์ส:600V

  ประเภท RDSON VGS=10V:68mΩ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  20A 650V 150mΩ Low Ciss Super Junction MOSFET สําหรับเครื่องพลังงาน

  รหัส:20A

  แรงดันเดรน-ซอร์ส:650V

  ประเภท RDSON VGS=10V:150mΩ

  ติดต่อตอนนี้