ประเทศจีน มอสเฟตแรงดันสูง

• 

  12A650V โมสเฟตความดันสูง ความต้านทานต่ําสําหรับอุปกรณ์ปรับเปลี่ยน CS12N65A2 TO-220F

  รหัส:12A

  วดส:650V

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  2A650V CS2N65A4 มอสเฟตความเร็วการสลับสูง เพื่อผลงานการสลับที่รวดเร็วและมั่นคง

  หมายเลขรุ่น:ซีเอส2N65A4

  รหัส:2A

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  20A500V CS20N50A6 TO-247 มอสเฟตความดันสูง N ช่องสําหรับการจัดการพลังงาน

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  หมายเลขรุ่น:CS20N50A6

  รหัส:20A

  ติดต่อตอนนี้
• 

  10A650V CS10N65A5 MOSFET ความดันสูง ความต้านทานต่ําสําหรับการจัดการพลังงาน

  รหัส:10A

  ประเภท:เอ็น

  วดส:650V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  2A650V CS2N65A5 โมสเฟตความดันสูง จํานวนพื้นที่หน่วยไฟฟ้า

  หมายเลขรุ่น:ซีเอส2N65A5

  แรงดันไฟฟ้า (Vgs):±30V

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  4A650V CS4N65A4 MOSFET ความดันสูง N ประเภท สําหรับเครื่องพลังงาน TO-251

  ประเภท:เอ็น

  หมายเลขรุ่น:ซีเอส4N65A4

  รหัส:4A

  ติดต่อตอนนี้
• 

  10A650V N-Channel HV MOSFET CS10N65A2 TO-220F สําหรับเครื่องชาร์จพลังงาน

  รหัส:10A

  วดส:650V

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  5A650V CS5N65A5 วงจรสลับพลังงานของ MOSFET ความดันสูง

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  รหัส:5A

  วดส:650V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  4A650V CS4N65A5 ปริมาณพื้นที่ โมสเฟตแรงดันสูง สําหรับการใช้งานในบ้านที่ฉลาด

  หมายเลขรุ่น:ซีเอส4N65A5

  รหัส:4A

  วดส:650V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  16A650V CS16N65A8 MOSFET ความดันสูง ด้วยการชาร์จประตูต่ํา TO-220F

  รหัส:16ก

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  2A650V CS2N65A2 MOSFET ความดันสูงต่อความต้านทานต่ํา

  รหัส:2A

  แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด (Vgs):±30V

  วดส:650V

  ติดต่อตอนนี้
• 

  16A600V CS16N60A8 โมสเฟตความดันสูง สําหรับสวิทช์ไฟฟ้าวงจรของอุปกรณ์ปรับและชาร์จ

  รหัส:16ก

  วดส:600V

  ประเภท RDSON (@VGS=10V):0.4โอห์ม

  ติดต่อตอนนี้