บ้าน ผลิตภัณฑ์igbt semiconductor ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

(573)

16A450V ไฟฟ้าสลับความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องแปลง DC/DC MBR1645FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:27

30A150V กระแสไฟฟ้าสูงและแรงดัน Schottky ไดโอเดสสําหรับปัสดุพลังงาน MBR30150FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:26

20A 200V Schottky Diodes และความดันด้านหน้า VF ต่ําสําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์ MBR20200FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:26

10A 150V MBR10150FCT ไดโอเดสป้องกัน Schottky ราคาถูก สําหรับการสลับความถี่สูงและในเครื่องแปลง DC / DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:25

18A500V CS18N50A8 TO-220F กรอบหนา โมสเฟตความดันสูง สําหรับการจัดหาพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 10:41:54

7A650V CS7N65A2 โมสเฟตความดันสูง สําหรับหน่วยพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:04

30A 60V Schottky Barrier Diodes Circuits rectifier สําหรับการแปลง AC เป็น DC MBR3060FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:25

ไดโอเดส Schottky ประสิทธิภาพต่ํา 60A 45V สําหรับวงจรคูณความถี่ TO-247S MBR6045PTS
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:32

MBR60200PT ไดโอ้ดความเร็วการสลับเร็ว Vf ต่ํา สําหรับการใช้งานความเร็ว
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-10 11:00:41

30A 200V MBR30200PT โฟลเตจด้านหน้า โลวเตจ VF Schottky Barrier Diodes สําหรับประสิทธิภาพการส่องแสง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:30

Page 16 of 58|< << 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

igbt semiconductor ผลิตออนไลน์

16A450V ไฟฟ้าสลับความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องแปลง DC/DC MBR1645FCT
ติดต่อ

30A150V กระแสไฟฟ้าสูงและแรงดัน Schottky ไดโอเดสสําหรับปัสดุพลังงาน MBR30150FCT
ติดต่อ

20A 200V Schottky Diodes และความดันด้านหน้า VF ต่ําสําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์ MBR20200FCT
ติดต่อ

10A 150V MBR10150FCT ไดโอเดสป้องกัน Schottky ราคาถูก สําหรับการสลับความถี่สูงและในเครื่องแปลง DC / DC
ติดต่อ

18A500V CS18N50A8 TO-220F กรอบหนา โมสเฟตความดันสูง สําหรับการจัดหาพลังงานที่ไม่หยุด
ติดต่อ

7A650V CS7N65A2 โมสเฟตความดันสูง สําหรับหน่วยพลังงาน
ติดต่อ

30A 60V Schottky Barrier Diodes Circuits rectifier สําหรับการแปลง AC เป็น DC MBR3060FCT
ติดต่อ

ไดโอเดส Schottky ประสิทธิภาพต่ํา 60A 45V สําหรับวงจรคูณความถี่ TO-247S MBR6045PTS
ติดต่อ

MBR60200PT ไดโอ้ดความเร็วการสลับเร็ว Vf ต่ํา สําหรับการใช้งานความเร็ว
ติดต่อ

30A 200V MBR30200PT โฟลเตจด้านหน้า โลวเตจ VF Schottky Barrier Diodes สําหรับประสิทธิภาพการส่องแสง
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC