บ้าน ผลิตภัณฑ์schottky diode vf ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

schottky diode vf ผลิตออนไลน์

(576)

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:17

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

ความดัน IGBT สําหรับอุณหภูมิที่มีการรั่วไหลต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:22

พลังงานประสิทธิภาพการต่อสานต่ํา N Channel Semiconductor
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:26

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:27

N เซมคอนดักเตอร์ความดันสูง TO-251 ด้วยผลประกอบการทางความร้อนที่ดีขึ้น
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:27

การรั่วไหลที่ต่ํา การใช้พลังงานสูง อุปกรณ์ครึ่งประสาทที่แยกแยก การเพิ่มประสิทธิภาพพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:28

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:25

การออกแบบแบบ N แบบครึ่งประสาทพลังงานสูง TO-220F พร้อมความสามารถในการเปลี่ยนเร็ว
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:29

ความดันสูง ความอดทนพลังงานครึ่งตัวนํา TO-220F สําหรับเครื่องแปลงพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:25

Page 40 of 58|< << 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

schottky diode vf ผลิตออนไลน์

MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา
ติดต่อ

การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor
ติดต่อ

ความดัน IGBT สําหรับอุณหภูมิที่มีการรั่วไหลต่ํา
ติดต่อ

พลังงานประสิทธิภาพการต่อสานต่ํา N Channel Semiconductor
ติดต่อ

ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง
ติดต่อ

N เซมคอนดักเตอร์ความดันสูง TO-251 ด้วยผลประกอบการทางความร้อนที่ดีขึ้น
ติดต่อ

การรั่วไหลที่ต่ํา การใช้พลังงานสูง อุปกรณ์ครึ่งประสาทที่แยกแยก การเพิ่มประสิทธิภาพพลังงาน
ติดต่อ

อุณหภูมิสูง การต่อต้านพลังงานครึ่งประสาทที่มีความจุสัดส่วนต่ํา
ติดต่อ

การออกแบบแบบ N แบบครึ่งประสาทพลังงานสูง TO-220F พร้อมความสามารถในการเปลี่ยนเร็ว
ติดต่อ

ความดันสูง ความอดทนพลังงานครึ่งตัวนํา TO-220F สําหรับเครื่องแปลงพลังงาน
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC