บ้าน ผลิตภัณฑ์sic power mosfet ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

sic power mosfet ผลิตออนไลน์

(574)

10A100V SBT10L100FCT เวลาฟื้นฟูกลับต่ํา สําหรับความดันด้านหน้าต่ํา สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:13

30A45V MBR3045CT ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:20

16A45V MBR1645CT ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:20

20A600V เครื่องสลับความถี่สูง Schottky Barrier Diodes สําหรับเครื่องพลังงาน MBR2060FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:28

40A60V Low VF Schottky Barrier Diodes สําหรับไฟฟ้าสวิตช์โหมดขนาดเล็ก MBR4060FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:27

16A450V ไฟฟ้าสลับความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องแปลง DC/DC MBR1645FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:27

20A 45V ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง โดดป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องเชื่อมต่อ DC / DC MBR2045FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:26

40A 200V ไฮคอร์นต์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับการสลับโหมดการจัดหาไฟฟ้า MBR40200PT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:30

16A200V อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับปัสดุพลังงาน MUR1620DC
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:47

16A200V การสูญเสียพลังงานต่ํา ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับเครื่องเปลี่ยนความถี่สูง MUR1620FCT
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:47

Page 39 of 58|< << 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

sic power mosfet ผลิตออนไลน์

10A100V SBT10L100FCT เวลาฟื้นฟูกลับต่ํา สําหรับความดันด้านหน้าต่ํา สําหรับเครื่องพลังงาน
ติดต่อ

30A45V MBR3045CT ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky
ติดต่อ

16A45V MBR1645CT ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky
ติดต่อ

20A600V เครื่องสลับความถี่สูง Schottky Barrier Diodes สําหรับเครื่องพลังงาน MBR2060FCT
ติดต่อ

40A60V Low VF Schottky Barrier Diodes สําหรับไฟฟ้าสวิตช์โหมดขนาดเล็ก MBR4060FCT
ติดต่อ

16A450V ไฟฟ้าสลับความถี่สูง ไดโอเดสป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องแปลง DC/DC MBR1645FCT
ติดต่อ

20A 45V ไฟฟ้าสวิทช์ความถี่สูง โดดป้องกัน Schottky สําหรับเครื่องเชื่อมต่อ DC / DC MBR2045FCT
ติดต่อ

40A 200V ไฮคอร์นต์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับการสลับโหมดการจัดหาไฟฟ้า MBR40200PT
ติดต่อ

16A200V อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับปัสดุพลังงาน MUR1620DC
ติดต่อ

16A200V การสูญเสียพลังงานต่ํา ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็วสําหรับเครื่องเปลี่ยนความถี่สูง MUR1620FCT
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC