บ้าน ผลิตภัณฑ์sic power mosfet ผู้ผลิตออนไลน์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

อินเวอร์เตอร์ IGBT
(37)

IGBT พลังงานสูง
(38)

มอสเฟตกำลังสูง
(48)

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)
(48)

มอสเฟตแรงดันต่ำ
(81)

มอสเฟตแรงดันสูง
(54)

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด
(80)

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว
(49)

VF ต่ํา Schottky
(65)

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง
(28)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET
(21)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD
(21)

ได้รับการรับรอง

ประเทศจีน Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd รับรอง

ความคิดเห็นของลูกค้า

สินค้าดีมาก เหมือนที่อธิบาย ส่งไว และบริการดีมาก แนะนําผู้ขาย

—— มินิฟัคซ์1

ส่งเร็วมาก แพ็คเกจดี และสายไฟฟ้านี้มีคุณภาพสูงแน่นอน! ไม่ซื้อที่ไหนอื่นและจะยังคงได้รับสายไฟฟ้าของฉันจากผู้ขายนี้! AAA+++

—— แมฮดี้

บริการดีเยี่ยมเหมือนปกติ ซื้อจากผู้ขายหลายครั้ง ส่งเร็วมาก

—— โซเฟีย

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

sic power mosfet ผลิตออนไลน์

(574)

ลิงซุนที่โด่งดัง ดิโอเดสป้องกัน Schottky ขนาดต่ํา VF MBR1045FCT สําหรับการจัดหาพลังงานที่มีประหยัด
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:29

40A 650V อีจีบีทีความถี่ต่ํา ความแรงสูง สําหรับอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:28:33

20A150V MBR20150CS Schottky Barrier Diodes ไฟฟ้าสวิตช์ความถี่สูง มีความเร็วการสวิตช์ที่เร็ว
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-03-29 23:29:22

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:33

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:39

โรงงานระบายความแรงสูงที่มั่นคง Mos TO-220F สําหรับอุตสาหกรรมอัตโนมัติ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:43:09

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:42:42

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-01-15 14:36:46

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:44:36

อุปกรณ์ครึ่งประสาท ความดันสูง IGBT 650V-1200V ด้วยอุปสรรคการเข้าสูง
ติดต่อ

อ่านเพิ่มเติม

2025-02-08 09:41:54

Page 40 of 58|< << 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 >> >|

อินเวอร์เตอร์ IGBT

IGBT พลังงานสูง

มอสเฟตกำลังสูง

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

มอสเฟตแรงดันต่ำ

มอสเฟตแรงดันสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

ไดโอ้ดฟื้นฟูเร็ว

VF ต่ํา Schottky

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

sic power mosfet ผลิตออนไลน์

ลิงซุนที่โด่งดัง ดิโอเดสป้องกัน Schottky ขนาดต่ํา VF MBR1045FCT สําหรับการจัดหาพลังงานที่มีประหยัด
ติดต่อ

40A 650V อีจีบีทีความถี่ต่ํา ความแรงสูง สําหรับอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์
ติดต่อ

20A150V MBR20150CS Schottky Barrier Diodes ไฟฟ้าสวิตช์ความถี่สูง มีความเร็วการสวิตช์ที่เร็ว
ติดต่อ

ทรานซิสเตอร์ความดันสูงประเภท N TO-220F ที่มีความจุต่ํา
ติดต่อ

การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา
ติดต่อ

โรงงานระบายความแรงสูงที่มั่นคง Mos TO-220F สําหรับอุตสาหกรรมอัตโนมัติ
ติดต่อ

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา
ติดต่อ

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น
ติดต่อ

TO-220F ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําของโลหะออกไซด์ 15A 600V 274mΩ
ติดต่อ

อุปกรณ์ครึ่งประสาท ความดันสูง IGBT 650V-1200V ด้วยอุปสรรคการเข้าสูง
ติดต่อ

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC