ประเทศจีน มอสเฟตแรงดันต่ำ

ซิลิคอนประตูต่ําขั้นต่ํา โวลเตชั่น โมสเฟต ราคาถูก

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ
Rds ลดความสูญเสียของซิลิคอนบน Mosfet สําหรับการบริโภคพลังงานในแอพลิเคชั่นที่ก้าวหน้า

ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ
ปลอดภัย โมสเฟตความดันต่ํา ผลงานและความน่าเชื่อถือสูงกว่า

ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน
55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F

วัสดุ:ซิลิคอน

ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

แพ็คเกจ:TO-220AB, TO-220F
สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

วัสดุ:ซิลิคอน
MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

แพ็คเกจ:TO-252,TO-220AB,TO-220F

วัสดุ:ซิลิคอน
การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน
80V โมสเฟตความดันต่ํา การกระจายพลังงานและวงจรการชาร์จแบตเตอรี่

วัสดุ:ซิลิคอน

แพ็คเกจ:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)
150V โมสเฟตความดันต่ํา สําหรับอินเตอร์เฟซเซอร์ อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์

วัสดุ:ซิลิคอน

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

แพ็คเกจ:ถึง-251,ถึง-220F
30 วอลต์ ปริมาณพื้นผิว ระบบ MOSFET ความดันต่ํา

แพ็คเกจ:ถึง-251,ถึง-252,ถึง-220F

วัสดุ:ซิลิคอน

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน
เครื่องวงจรควบคุมความดันต่ํา 60V เทคโนโลยี MOSFET Trench ความเร็วการสลับสูง

แพ็คเกจ:ถึง-251 ถึง-252

การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)
องค์ประกอบสําคัญ MOSFET ความดันต่ํา หลากหลายอุปกรณ์และระบบอิเล็กทรอนิกส์

สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

แพ็คเกจ:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

วัสดุ:ซิลิคอน

Page 4 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

มอสเฟตแรงดันต่ำ

MOSFET ความดันต่ําหลายประการ TO-220C สําหรับการจําหน่ายไฟฟ้าที่ไม่หยุด

MOSFET ความดันต่ําหลายฟังก์ชันสําหรับการปรับสynchronous

50A 200V โฟลตประตูต่ํา Mosfet ประสิทธิภาพสูง

ประเทศจีน มอสเฟตแรงดันต่ำ

ซิลิคอนประตูต่ําขั้นต่ํา โวลเตชั่น โมสเฟต ราคาถูก

Rds ลดความสูญเสียของซิลิคอนบน Mosfet สําหรับการบริโภคพลังงานในแอพลิเคชั่นที่ก้าวหน้า

ปลอดภัย โมสเฟตความดันต่ํา ผลงานและความน่าเชื่อถือสูงกว่า

55V Advanced Trench Low Voltage MOSFET ทรานซิสเตอร์ การป้องกันแบตเตอรี่ TO-220AB TO-220F

สถานะไร้หมึก ทนต่อความแรงเกินระยะสั้น ความแรงต่ํา Mosfet PWM Application

MOSFET ความดันต่ํา 200 วอลต์ สําหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และโทรคมนาคมที่พกพาได้

การทํางานความดันต่ํา โลหะโอไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พกพา

80V โมสเฟตความดันต่ํา การกระจายพลังงานและวงจรการชาร์จแบตเตอรี่

150V โมสเฟตความดันต่ํา สําหรับอินเตอร์เฟซเซอร์ อิเล็กทรอนิกส์รถยนต์

30 วอลต์ ปริมาณพื้นผิว ระบบ MOSFET ความดันต่ํา

เครื่องวงจรควบคุมความดันต่ํา 60V เทคโนโลยี MOSFET Trench ความเร็วการสลับสูง

องค์ประกอบสําคัญ MOSFET ความดันต่ํา หลากหลายอุปกรณ์และระบบอิเล็กทรอนิกส์

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

พลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ Schottky Diodes ป้องกันสําหรับเตาอบไฟฟ้า

ความดันความแตกสูง ซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD สําหรับศูนย์ข้อมูล

อุตสาหกรรมซิลิคอนคาร์ไบด์ SBD หลายประสงค์สําหรับเครื่องปั่น

อินเวอร์เตอร์ IGBT

15A 1200V อินเวอร์เตอร์ IGBT วงจรสั้น ทนเวลา 10μS สําหรับคนขับรถ

อินเวอร์เตอร์ที่น่าเชื่อถือและแข็งแรง IGBT การขยายโหมดช่อง N

ค้อนชาร์จ IGBT ทรานซิสเตอร์หลายประการ สําหรับการใช้งาน OBC