ประเทศจีน มอสเฟตแรงดันต่ำ

• 

  MOSFET ความดันต่ํา 60V ถึง 220C เหมาะสําหรับอิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัย

  วัสดุ:ซิลิคอน

  แพ็คเกจ:TO-251,TO-220AB

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ การันตีวงจรอิเล็กทรอนิกส์ความดันต่ํา MOSFET

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  แพ็คเกจ:TO-252,TO-220AB

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การบูรณาการความหนาแน่นสูงสุด ระบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขั้นต่ํา

  วัสดุ:ซิลิคอน

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ความเร็วการสลับสูง ความดันต่ํา MOSFET หลายฟังก์ชัน TO-220AB PDFN5060

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  แพ็คเกจ:PDFN5*6,TO-220AB

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MOSFET ขนาดขนาดเล็กความดันต่ําสําหรับการปรับสัญลักษณ์ TO-263C

  วัสดุ:ซิลิคอน

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  แพ็คเกจ:PDFN5*6,TO-252

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ความแข็งแรงทางความร้อน MOSFET ความดันต่ําเพื่อการปรับปรุงประสิทธิภาพระบบ

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  วัสดุ:ซิลิคอน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  Low Rds ON Resistance MOSFET ความดันต่ํา สําหรับการแปลง DC-DC

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  แพ็คเกจ:TO-252,TO-220AB,TO-220F

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  องค์ประกอบสําคัญของ MOSFET ความดันต่ําใน DC-DC Converters และ Regulators

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  Ultra Low On Resistance SGT MOSFET ความดันต่ําสําหรับสวิทช์ภาระ

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  แพ็คเกจ:TO-252,TO-220AB

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MOSFET ความดันต่ําที่น่าเชื่อถือและแข็งแกร่ง ใช้เทคโนโลยีขังที่ทันสมัย

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ติดต่อตอนนี้
• 

  40V เทคโนโลยีขังที่พัฒนา MOSFET ความดันต่ําสําหรับวงจรชาร์จแบตเตอรี่

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ปริมาณพื้นที่ 40V โมสเฟตความดันต่ํา สําหรับวงจรโลจิกดิจิตอล

  วัสดุ:ซิลิคอน

  ข้อดี:ปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ติดต่อตอนนี้