ประเทศจีน สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

• 

  โวลเตชั่นสูง ความรั่วไหลต่ํา โคลด์โมสครึ่งประสาทสําหรับการชาร์จค้อน

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ประเภท:เอ็น

  การรั่วไหล:การรั่วไหลต่ำ

  ติดต่อตอนนี้
• 

  N Channel แซมคอนดักเตอร์พลังงานสูงที่มีความรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา

  ประเภท:เอ็น

  การรั่วไหล:การรั่วไหลต่ำ

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การรั่วไหลต่ํา N Channel IGBT พลังงานสูง สําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ประเภท:เอ็น

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การออกแบบแบบ N แบบครึ่งประสาทพลังงานสูง TO-220F พร้อมความสามารถในการเปลี่ยนเร็ว

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  แสงสูง:เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงมีลักษณะพิเศษคือความสามารถในการจัดการกับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าสูงอย

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การรั่วไหลต่ํา N Channel MOSFET พลังงานสูง TO-220F TO-263C TO-247AC

  ความทนทานต่ออุณหภูมิ:ทนต่ออุณหภูมิสูง

  โวลเตชั่น:ไฟฟ้าแรงสูง

  แสงสูง:เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงมีลักษณะพิเศษคือความสามารถในการจัดการกับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าสูงอย

  ติดต่อตอนนี้
• 

  Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 โครงการครึ่งนําพลังงานสูง

  การบริโภคพลังงาน:การสูญเสียพลังงานต่ำ

  สถานะปลอดสารตะกั่ว:เป็นไปตามมาตรฐาน

  ความต้านทาน:ถนนต่ำ(ON)

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ความทนทานอุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ํา MOSFET ประเภท N ความจุต่ําสําหรับการประหยัดพลังงานที่ระดับสูง

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  พลังงานประสิทธิภาพการต่อสานต่ํา N Channel Semiconductor

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ความทนทานต่ออุณหภูมิ:ทนต่ออุณหภูมิสูง

  ติดต่อตอนนี้
• 

  ความดัน IGBT สําหรับอุณหภูมิที่มีการรั่วไหลต่ํา

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ประสิทธิภาพ:ประสิทธิภาพสูง

  ประเภท:เอ็น

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การรั่วไหลต่ํา ความจุต่ํา ความจุสูง ความร้อนสูง ความตึงเครียด N Channel Power Semiconductor

  การรั่วไหล:การรั่วไหลต่ำ

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  แสงสูง:เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงมีลักษณะพิเศษคือความสามารถในการจัดการกับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าสูงอย

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MOSFET พลังงานที่มีความทนทานต่ออุณหภูมิสูง ความรั่วไหลต่ําและความจุต่ํา

  ประเภท:เอ็น

  โวลเตชั่น:ไฟฟ้าแรงสูง

  แสงสูง:เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงมีลักษณะพิเศษคือความสามารถในการจัดการกับแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าสูงอย

  ติดต่อตอนนี้
• 

  การประยุกต์ใช้หลายครั้ง ภาคนําไฟฟ้าพลังงานสูง N Channel

  โวลเตชั่น:ไฟฟ้าแรงสูง

  ข้อดี:กระบวนการที่มั่นคงและคุณภาพที่เชื่อถือได้

  ความจุของแยก:ความจุต่ํา

  ติดต่อตอนนี้